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高度双重有序宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法

专利类别

发明授权

申请号

CN201010617896.X

申请日期

2010/12/22

第一发明人

王丹; 杜江; 赖小勇; 毛丹

专利授权日期

2014/7/30

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